Модуль IGBT

при заказе:
1шт.-108.000р
5шт.-107.800р
10шт.-107.600р
Доп.информация
Макс.напр.к-э,В: 1700,
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.15,
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 1200,
Структура модуля: чоппер с диодом,
Тип силового модуля: Сборка на IGBT транзисторах,
Максимальная частота модуляции,кГц: 15,
Входная емкость затвора,нФ: 176,
Драйвер управления: внешний,
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт: 6500,
Максимальный ток эмиттера, А: 2400,
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В: 7,
Напряжение эмиттер-коллектор,В: 2.6,
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс: 400,
Напряжение изоляции, В: 4000,
Температурный диапазон,С: -40...150